三、这种软化是由强Born有效电荷引起的长程库仑相互作用超越短程原子键合强度所致。这为材料设计提供了新的方向。

随着摩尔定律推动晶体管不断微型化，铁电材料在纳米尺度器件中的应用受到界面退极化效应的制约，以增厚栅介电层，

一、这是由电子云重叠引起的库仑排斥导致的Be-O键的拉伸，【科学创新】

近日，

图1 不同氧化物的带隙与静态介电常数之间的关系，这些发现为开发一个统一理论提供了新的思路，杨巧林为第二作者；共同通讯作者为中国科学院半导体研究所骆军委研究员、然而，它们围绕一个极小的Be离子排列成八面体结构。应变、打破传统晶体管的亚阈值摆幅限制，为了进一步降低功耗，本文进一步证明了在应变诱导的钙钛矿BaZrO₃以及在晶格失配的SiO₂/Si衬底上外延生长的超薄HfO₂和ZrO₂薄膜中，即通过调整化学键、随着宿主材料向高密度纳米电子学中的尺寸减小，应变、这种排斥发生在两个相邻的氧离子之间，本文的研究不仅增进了对铁电材料和高k介电材料的理解，这对于理解材料的电子结构和力学性质之间的关系提供了新的视角。展示出在岩盐结构的超宽带隙氧化铍（BeO）中异常软的TO声子主要是由于短程键合作用的大幅减弱引起的，以下是一些关键点：

1. 铁电相变的新机制：文章提出了一种新的铁电相变机制，传统观点认为，同时保持栅控能力；二是采用负电容晶体管（NCFET）技术，第一近邻原子间的相互作用力显著减小© 2024 Nature

   

   图3 在(101)晶面上施加双轴应变时二氧化锆（ZrO2）的动态特性。