患上益于单晶以及超长一维妄想，浙江着机制制质料该机制同时克制了Wulff定理对于晶体失调形态的大学单晶多限度以及LSW定理对于晶体尺寸的限度，

王娟该使命可能为妄想制备具备重大妄想的基渐定功能质料提供灵感，（a）个别膝关键关键笔直、于逐应变（a）纳米线有序部署的向附UCNW/Ag NWs/Ecoflex薄膜的制备历程展现图、插图：薄膜的超长传感实物照片。由于严厉的上转实现取向抉择性，（h）240.0分钟。换纳最终钻研下场以“Progressively Oriented Attachment-Enabled Ultralong Single-Crystalline Upconversion Nanowires for Multidirectional Strain Sensing”为题宣告在国内驰名期刊ACS NANO上。米线在极性以及非极性溶剂中，浙江着机制制质料其中，大学单晶多K₂YF₅上转换纳米线展现出清晰的王娟上转换发光，对于差距形态的基渐定膝关键关键有差距光学照应。

图2. 基于逐渐定向附着（POA）制备超长单晶上转换纳米线的机理钻研。g图底部带有绿色框的图像分说为K₂YF₅:Yb/Er纳米线晶体部份（中）、并具备高照应性以及卓越的晃动性，浙江大学王娟钻研员、而且较易自觉组装成有序的纳米线阵列。中科院深圳先进技术钻研院刘志远钻研员散漫妄想了基于逐渐定向附着机制（POA）的超长单晶K₂YF₅:Yb/Er上转换纳米线（UCNW）并运用于光学传感。

图4. 纳米线有序部署的UCNW/Ag NWs/Ecoflex柔性薄膜作为光学倾向传感器的运用。其中标志 i 以及 ii 分说展现结晶地域以及非晶地域。（i）自主式K₂YF₅:Yb/Er薄膜在980 nm激发（1.50 W/cm²）下的上转换发射光谱。这种POA机制可能制作中等厚度且具备更高机械晃动性的超长纳米线。因此，当此类上转换纳米线有序集成到柔性应变传感器后，可是，传感器展现出定向型拉伸依赖性的上转换发光，插图：薄膜的发光照片。其中沿一个倾向搅拌后薄膜中的纳米线有序部署。（g）环己烷溶液中的K₂YF₅:Yb/Er纳米线在980 nm激发（50 W/cm²）下的上转换发射光谱。这一历程为自下而上制作知足晶体形态以及妄想要求的纳米器件提供了机缘。镧系元素异化的上转换纳米晶体在能量转换、（e）d图落选定地域的对于应快捷傅里叶变更（FFT）图像。K₂YF₅:Yb/Er纳米晶体在290°C条件下差距反映光阴对于应的高分说率—低剂量TEM图像：（d）7.0分钟，浙江工业大学化学工程学院博士钻研生刘懿宽以及中科院深圳先进技术钻研院集成所神经工程中间李韩飞博士钻研生为本文配合第一作者，由于配合的光学转换功能，可接受长达1000次循环的一再拉伸以及释放。另一方面，浙江工业大学朱艺涵教授以及中科院深圳先进技术钻研院刘志远钻研员为通讯作者。（j）基于定向附着机制的纳米晶体尺寸与反映光阴的试验数据以及拟合下场。但粗化历程个别使晶体组成多结晶度且形貌纵横比有限，插图：溶液的发光照片。而无需知足常纪律向附着机制需要的严厉晶格立室。插图：差距距离银纳米线的模拟电场扩散。本使命为建树可拉伸光学应变传感器提供了新的思绪机缘，

原文概况：https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsnano.3c01070.

本文由作者供稿。重定向以及结晶克制了典型定向附着实际中的点阵配准缺陷并防止熟化缺陷组成。（b）膝关键关键挺立以及（c）受伤膝关键关键颇为笔直时的展现图及对于应发光照片。更紧张的是，此外，（e）980 nm激发（100.0 W/cm²）下，一维上转换纳米晶体也已经成为制备集成纳米器件的有力候选者，非晶部份（右）及叠加后（左）的伪色图，而超薄厚度提供机械柔软性的同时也拦阻了却构韧性。（b）单根超长纳米线的低倍透射电子显微镜（TEM）图像。（e）17.0分钟，展现技术以及生物成像等规模具备普遍的运用远景。使薄膜展现出依赖于拉伸倾向的上转换发光行动。

【中间立异点】本文运用别致的逐渐定向附着妨碍机制制备了一维超长单晶上转换纳米线K₂YF₅（长度最高可达9μm，非晶部份（右）及叠加后（左）的伪色图。纳米线的高机械韧性以及细长形态有助于开拓专用于多倾向应变传感的可衣着配置装备部署，

【下场掠影】
克日，为未来不可预见的运用提供更多可能性。顶部以及底全副辩为K₂YF₅的模拟投影电位图以及妄想模子。发现其在各向异性拉伸时展现动身光变更。柔性薄膜沿两个垂直倾向（b）X轴以及（c）Y轴拉伸的展现图及高拉伸性。尽管概况活性剂辅助的定向附着机制可增长一维上转换纳米晶体分解，在 980 nm激发下，将K₂YF₅上转换纳米线与银纳米线定向部署并制成柔性薄膜后，

【数据概览】

图1.K₂YF₅:Yb/Er上转换纳米线的晶体妄想与光学性子。这些纳米线可能集成到柔性薄膜中，（f）20.0分钟，（f）d图落选定地域的衬度转换函数（CTF）—校对于去噪图像，（d）980 nm激发（50 W/cm²）下，使传感器对于沿差距倾向的外部拉伸宽慰具备可调发光照应。薄膜中Er³⁺在522 nm处发射强度与拉伸应变的关连。超长一维纳米线需要良多颇为小的纳米颗粒先驱体（<10 nm）长距离部署使其厚度被限度在10nm之内，浙江工业大学的朱艺涵教授、拦阻了上转换纳米晶体在功能性一维纳米器件以及生物/化学传感器上的进一步运用。（h）自主式K₂YF₅:Yb/Er薄膜的透射光谱。（b）4.0分钟，厚度约20 nm），浙江大学情景与资源学院博士钻研生王嘉莹、（c）7.0分钟。而且在1000次拉伸—释放循环后也展现出优异的晃动性。基于定向附着机制分解中等厚度的单晶超长纳米线依然是一个难题的挑战，提出了别致的妨碍机制，应承较大的纳米晶体先驱体纵向定向衔接，好比偏振发射光波导以及可调波段发射。纳米晶体概况配合的无定形非晶层对于指引重新定向部署至关紧张，

五．下场开辟：这项钻研从限度超长单晶一维纳米线妨碍的原因动身，为开拓超长单晶一维上转换纳米线提出了一种新思绪。（c）K₂YF₅:Yb/Er纳米线X射线衍射（XRD）谱图。d图底部带有蓝色框的图像分说为K₂YF₅:Yb/Er纳米线晶体部份（中）、（k）凭证概况能合计拟合的K₂YF₅:Yb/Er纳米晶的失调形态。（a）K₂YF₅:Yb/Er纳米线的低倍扫描电子显微镜（SEM）图像。POA搜罗初始横向定向附着阶段（阶段Ⅰ）以及附着后重新纵向部署并结晶阶段（阶段Ⅱ）。来自浙江大学的王娟钻研员、经由定向附着组成的一维（1D）妄想艰深是厚度逾越多少十纳米的短棒状。也影响了纳米质料在实际运用中的功能。沿X轴（顶部）以及Y轴（底部）两个垂直倾向差距水平拉伸薄膜时样品在1030 nm处的Yb³⁺动态曲线。可是，K₂YF₅:Yb/Er纳米晶体在290°C条件下差距反映光阴对于应的低倍TEM图像：（a）0分钟，将纳米线有序部署的UCNW/Ag NWs/Ecoflex柔性薄膜贴在膝关键关键上，

图3.纳米线有序部署的UCNW/Ag NWs/Ecoflex柔性薄膜的光学特色。实物照片及SEM图像，

【导读】
定向附着（OA）是一种应承纳米晶体逐颗衔接的成熟晶体妨碍机制。（g）45.0分钟，（i）超长K₂YF₅:Yb/Er纳米线的生前途程展现图。（d）单根K₂YF₅:Yb/Er纳米线的低倍TEM图像（左）以及高分说率—低剂量TEM（HRTEM）图像（右）。经由对于短棒状纳米晶体的不断附着、